1 DIODOS RECTIFICADORES
1.1 Diodo de Unión p-n
1.2 Diodo p-i-n
1.3 Diodo de Barrera Schottky
1.4 Diodo de Barrera Dopada Planar (PDB)
1.5 Heterounión Isotipo
2 DIODOS DE RESISTENCIA NEGATIVA
2.1 Diodo Túnel
2.2 Dispositivo del Electrón Transferido (TED)
2.3 Diodo de Tiempo de Tránsito con Avalancha de Ionización por Impacto (IMPATT)
2.4 Diodo de Tiempo de Tránsito por Inyección de Barrera (BARRIT)
2.5 Diodo de Túneleo Resonante
2.6 Diodo de Transferencia del Espacio Real (RST)
3 DISPOSITIVOS RESISTIVOS
3.1 Resistor
3.2 Contacto Óhmico
4 DISPOSITIVOS CAPACITIVOS
4.1 Capacitor Metal-Óxido-Semiconductor (MOS)
4.2 Dispositivo Acoplado por Carga (CCD)
5 INTERRUPTORES DE DOS TERMINALES
5.1 Interruptor Metal-Aislador-Semiconductor (MISS)
5.2 Interruptor de Barrera Dopada (PDB)
5.3 Interruptor de Umbral Amorfo
6 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
6.1 Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
6.2 Transistor de Efecto de Campo de Unión (JFET)
6.3 Transistor de Efecto de Campo Metal-Semiconductor
(MESFET)
6.4 Transistor de Efecto de Campo con Modulación Dopada (MODFET)
6.5 Transistor de Base Permeable
6.6 Transistor de Inducción Estática (SIT)
6.7 Transistor de Efecto de Campo con Dopado Planar
6.8 Transistor de Efecto de Campo con Túneleo Resonante Lateral (LRTFET)
6.9 Transistor de Efecto Stark
6.10 Transistor con Modulación de Velocidad (VMT)
7 TRANSISTORES POR EFECTO DEL POTENTIAL
7.1 Transistor Bipolar (BJT)
Bibliografía
[1] Kwok K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, McGraw-Hill Series in Electrical and Computer Engineering, United States of America, 1995.
[2] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Inc., Second Edition, The United States of America, 1985.
[3] Thomas L. Floyd, Electronic Devices, Prentice Hall, The United States of America, Fourth Edition, 1996.
Períodos en que ha sido impartido: Octubre a Diciembre del 2000.
ÚLTIMA ACTUALIZACIÓN: 16 DE JUNIO DEL 2002
