1 Materiales Semiconductores 1.1 Crecimiento de Cristales 1.2 Redes Cristalinas 1.3 Bandas de Energía 1.4 Materiales Intrínsecos 1.5 Materiales Extrínsecos
2 Nivel de Fermi - Dival Conductividad y Difusión de Cargas 2.1 Nivel de Fermi - Dival en Materiales Intrínsecos 2.2 Nivel de Fermi - Dival en Materiales Extrínsecos 2.3 Conductividad y Movilidad 2.4 Proceso de Difusión 2.5 Ecuaciones de Continuidad
3 Unión P-N, Diodo en Estado de Equilibrio 3.1 Diodo en Estado de Equilibrio 3.2 Polarización Directa 3.3 Polarización Inversa 3.4 Carga Almacenada y Capacitancia en la Unión 3.5 Técnicas de Fabricación de Diodos
4 Dispositivos de Unión 4.1 Diodo Rectificador 4.2 Diodo Zener 4.3 Diodo Túnel 4.4 Diodo Varactor
5 Transistor de Unión Bipolar 5.1 Funcionamiento de un transistor PNP y NPN 5.2 Polarización de un Transistor Bipolar 5.3 Amplificación con Transistores Bipolares 5.4 Aplicaciones
6 MOSFET 6.1 Funcionamiento de FET y MOSFET 6.2 Efectos de Capacitancia y Agotamiento 6.3 Aplicaciones
Bibliografía
[1] Rafael Vargas Bernal, Guía del Curso de Física de Semiconductores, México, Junio 2002.
[2] Jai P. Agrawal, Power Electronics Systems: Theory and Design, Prentice Hall, The United States of America, 2001.
[3] Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw-Hill, The United States of America, 2000.
[4] Wai-Kai Chen, The VLSI Handbook, CRC and IEEE Press, The United States of America, 2000.
[5] R. Jacob Baker, Harry W. Li, and David E. Boyce, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Press, The United States of America, 1998.
[6] Kwok K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, McGraw-Hill, Electrical and Computer Engineering Series, The United States of America, 1995.
[7] Kenneth R. Laker and Willy M.C. Sansen, Design of Analog Integrated Circuits and Systems, McGraw-Hill, The United States of America, 1994.
[8] Christos C. Halkias and Jacob Millman, Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems, McGraw-Hill, Japan, 1972.
Bibliografía Adicional Recomendada
[1] E. H. Nicollian, and J. R. Brews, MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology, Wiley-Interscience, November 2002, ISBN 047143079X.
[2] Donald A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, McGraw-Hill Science/Engineering/Math, Third Edition, August 2002, ISBN 0072321075.
[3] J. P. Ecolinge, Jean-Pierre Colinge, and Cynthia A. Colinge, Physics of Semiconductor Devices, Kluwer Academic Publishers, May 2002, ISBN 1402070187.
[4] Simon M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley & Sons, Second Edition, September 2001, ISBN 0471333727.
[5] Chihiro Hamaguchi, Basic Semiconductor Physics, Springer Verlag, August 2001, ISBN 3540416390.
[6] Peter Y. Yu, and Manuel Cardona, Fundamentals of Semiconductors: Physics and Material Properties, Springer Verlag, 3rd Edition, July 2001, ISBN 3540413235.
[7] Minko Balkanski, and R. F. Wallis, Semiconductor Physics and Applications, Oxford University Press, November 2000, ISBN 0198517408.
[8] Ben G. Streetman, and Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall, 5th Edition, November 1999, ISBN 0130255386.
[9] Karlheinz Seeger, Semiconductor Physics: An Introduction, Springer Verlag, 7th Edition, September 1999, ISBN 354065786X.
[10] Dieter K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization, Wiley-Interscience, Second Edition, June 1998, ISBN 0471241393.
[11] Simon M. Sze, Modern Semiconductor Device Physics, John Wiley & Sons, First Edition, October 1997, ISBN 0471152374.
Períodos en que ha sido impartido por el Dr. Rafael Vargas Bernal el curso: Junio a Julio del 2002, Agosto a Diciembre del 2002, Enero a Junio del 2003.
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ÚLTIMA ACTUALIZACIÓN: 1 de Diciembre de 2004
