Se examina el proceso de fabricación de un diodo implantado. A igualdad de dopados, los diodos implantados poseen una tensión de ruptura inversa superior a la de los diodos difusos.

La figura compara un diodo obtenido por implantación de fósforo a 70 KeV y a 300 K, en silicio tipo P de 7 Ohm.cm y orientación < 1.0.0> tras un recocido de 30 minutos a 800ºC, con un diodo difuso de la misma característica directa.

La operación de recocido después de la implantación es muy importante; la resistencia directa y la tensión de ruptura inversa resultan mejoradas.

La figura resume el proceso de fabricación de un diodo implantado. Tras un depósito epitaxial y otro de una capa de óxido se recubre la lámina con aluminio.

Primeramente, una operación de fotograbado permite descubrir la zona a someter a un bombardeo de iones boro. Por extensión de la venta se descubre la zona a bombardear con iones fósforo. Entonces basta realizar las conexiones apropiadas para obtener el diodo.

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