Las imperfecciones técnicas del apantallado y de la difusión limitan la frecuencia de trabajo de los MOS tradicionales, ya que es imposible limitar el recubrimiento del surtidor y del drenador por el graduador. El MOS implantado no presenta tales inconvenientes y por lo tanto las capacidades inter- electródicas disminuyen considerablemente, lo que permite reducir el tiempo de conmutación por lo menos la mitad.

Por otro lado, la tensión de umbral de MOS está determinado especialmente por el espesor y la constante dieléctrica del aislante de graduador y por la densidad de carga por unidad de superficie en la zona empobrecida. El umbral puede pues reducirse a valores compatibles con los de los sistemas TTL (1 o 2 Volt ).

Las técnicas de implantación permiten realizar, sobre un mismo sustrato, MOS de enriquecimiento y MOS de empobrecimiento. Esta combinación determina la obtención de puertas para las que el producto potencia conmutada – rapidez de respuesta resulta duplicado respecto a las realizaciones difusas.

En la actualidad, las realizaciones más características en técnicas de haces iónicos son los circuitos LSI. Entre ellos pueden citarse algunos circuitos de Hughes o de la firma Mostek – Sprague y los estudios efectuados en Francia por LETI de Grenoble, los Laboratorios de investigación Sescosem, Thompson CSF y LEP.

Gracias al bordado iónico puede ser implantado el canal y zonas del surtidor y del drenador (Figura ). En ambos casos los electrodos están autoalineados.

Así (Figura 3.26) la firma Sprague – Mostek implanta un canal a través de una capa delgada de óxido (la capa espesa detiene los iones de bombardeo), mientras que LETI o Philips sugieren una implantación de surtidor y drenador.

En todo caso se emplea una tecnología mixta en la actualidad, utilizándose a la vez la difusión y la implantación iónica.

Para LETI , las primeras etapas son de la realización de un MOS según la tecnología habitual: difusión, en un sustrato N de dos zonas P, fotograbación y oxidación de graduador, fotograbación de los contactos y metalización.

Sin embargo, la metalización de aluminio sobre el graduador no recubre íntegramente el espacio entre el surtidor y el drenador (3.27). Si ahora se efectúa una implantación en boro a 30 KeV, la región situada bajo el contacto metálico estará protegida y penetrando a través de la capa estrecha de óxido, los iones de boro dopan el sustrato a ras del graduador y de las zonas difundidas de surtidor y drenador.

En consecuencia, la implantación iónica se utiliza aquí como operación complementaria para mejorar las características, pero no modifica sustancialmente la tecnología clásica de fabricación.

Para efectuar la implantaciones se utiliza un acelerador de particulas que posee una fuente a alta frecuencia en la que se ioniza tricloruro de boro. Tras una separación magnética, los iones boro se someten a tensiones electrostáticas perpendiculares de barrido. Lo que permite obtener una zona implantada homogénea en las pastillas de silicio, la cual permanece a temperatura ambiente.

El método Philips resulta casi igual al anterior (figura). En este caso los iones son tambien detenidos por el aluminio del graduador. Según que se desee fabricar un MOS de canal P o de canal N, se utiliza iones boro o iones fósforo. El canal puede reducirse a una longitud de 3 micras, lo que ha permitido fabricar MOS oscilantes a 800 gigahertz.